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更新時間:2025-11-20
瀏覽次數:211700度實驗升降爐是實驗室專用的高溫熱處理設備,以“升降式爐體/樣品臺"為核心結構特征,適配陶瓷材料(如氧化鋁、氧化鋯、氮化硅)、無機非金屬材料的高溫燒結、熔融、晶化及性能測試,憑借精準控溫與靈活操作優勢,成為材料研發、高校實驗及小型量產驗證的核心設備。
一、核心結構與突出優勢
1. 獨特升降結構,適配多元實驗需求
設備采用“爐體固定+樣品臺升降"或“爐體升降+樣品臺固定"兩種結構形式,核心優勢體現在:一是樣品取放便捷,升降過程平穩無震動,避免高溫下樣品移位或破損;二是可實現“快速入爐/出爐",滿足部分材料對升溫速率的嚴苛要求;三是爐口密封性能優異,升降到位后爐體與樣品臺貼合緊密,減少熱量流失與氣氛泄漏(適配氣氛實驗場景)。
2. 高溫性能穩定,實驗數據可靠
針對實驗場景對數據重復性的需求,設備在高溫性能上做了專項優化:溫度上限穩定達1700℃,波動范圍控制在±1℃內,可長時間(24-72小時)保溫運行,滿足陶瓷材料致密化所需的持續高溫環境;爐腔采用氧化鋁空心球磚或剛玉莫來石復合襯里,配合多層保溫結構,溫場均勻性≤±5℃(1700℃下,爐腔有效區域內),確保同批次樣品熱處理效果一致。
3. 智能控溫與安全防護,適配實驗室場景
控溫系統采用PID+PLC雙控模式,支持程序升溫(0-50℃/min可調)、階梯保溫、勻速降溫全流程自動化,可存儲100+組實驗工藝參數,方便不同材料實驗的參數調用與對比;安全防護方面,配備超溫報警(超溫10℃自動斷電)、斷水保護(水冷型)、爐門開啟斷電、高溫警示燈等多重裝置,符合實驗室安全操作規范。
二、關鍵技術參數參考
- 加熱系統:加熱元件選用硅鉬棒(抗氧化性強,1700℃下壽命達1500-2000爐次);加熱功率根據爐膛尺寸而定,小型實驗爐(10-30L)功率5-15kW,中型實驗爐(30-80L)功率15-30kW。
- 爐膛參數:常見尺寸(長×寬×高)為100×100×100mm至500×500×500mm,可定制;爐腔內壁經拋光處理,減少熱輻射損耗,便于清潔。
- 控溫與操作:配備7英寸觸摸屏,實時顯示爐內溫度、升溫速率、運行時間等參數;支持電腦遠程控制與數據導出(U盤或聯網傳輸),便于實驗數據歸檔分析。
- 冷卻方式:爐體采用自然冷卻(小型)或強制風冷(中型),樣品臺可選配水冷系統(針對高溫快速降溫實驗),降溫速率0-30℃/min可調。
- 氣氛適配:可選配惰性氣體(氮氣、氬氣)通入接口,配合密封結構實現氣氛保護燒結,氣體流量0-5L/min可調。
三、典型適用場景
1. 材料研發實驗:高校、科研機構用于陶瓷基復合材料、電子陶瓷(如壓電陶瓷)、高溫結構陶瓷的配方優化與燒結工藝探索,小批量樣品(1-50件/爐)的實驗性燒結。
2. 工藝參數驗證:企業生產前的工藝驗證,如確定陶瓷制品的最佳升溫速率、保溫時間、降溫曲線,為規模化生產提供數據支撐。
3. 特殊性能測試:用于陶瓷材料的高溫強度測試、熱穩定性實驗,或模擬高溫環境下材料的性能變化。
4. 小型定制生產:適配航空航天、醫療等領域的高精度小型陶瓷部件(如陶瓷探針、微型軸承)的定制化生產,兼顧實驗精度與生產需求。
四、使用與維護注意事項
- 升降操作前需確認樣品臺承載重量(通常≤50kg),避免超載導致升降機構故障;樣品需均勻放置在樣品臺中心,防止溫場偏移。
- 使用前需進行“烘爐"處理(從室溫升至1000℃保溫2小時,再升至1700℃保溫1小時),去除爐腔內壁的水分與雜質,避免影響實驗精度。
- 每次實驗后需待爐溫降至50℃以下再清潔爐腔,用軟毛刷清理燒結殘渣,禁止用堅硬工具刮擦爐壁,防止破壞耐火層。
- 硅鉬棒需定期檢查,若出現表面氧化剝落、斷裂或升溫速率明顯下降,需及時更換;更換時需確保新舊元件規格一致,避免受力不均。
- 氣氛燒結實驗后,需先關閉氣體閥門,待爐內氣體排凈后再開啟爐門,防止氣體泄漏引發安全風險。